濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。