光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

常壓的硅外延方法有（）。