下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

如下哪個選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）