硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的特點包括（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標？（）

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

CMP的設備構成包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）