給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？

解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機理和物理機理。

解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？

什么是摻雜？例舉四種常用的摻雜雜質(zhì)并說明它們是n型還是p型？

干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點。干法刻蝕的不足之處是什么？

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

光刻中采用步進掃描技術(shù)獲得了什么好處？

描述RF濺射系統(tǒng)。

例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。

什么是硅化物？難熔金屬硅化物在硅片制造業(yè)中重要的原因是什么？