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單項選擇題

N型半導體中的自由電子是（）形成的。

A.摻雜
B.能量擊發(fā)
C.摻雜與能量擊發(fā)

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單項選擇題

硅管與鍺管的死區(qū)電壓分別為（）V。

A.0.7，0.3
B.0.3，0.7
C.0.5，0.2
D.0.2，0.5

單項選擇題

半導體中的載流子為（）。

A.正離子
B.負離子
C.電子
D.自由電子和空穴

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