高壓合成，就是利用外加的高壓力，使物質(zhì)產(chǎn)生多型相變或發(fā)生不同物質(zhì)間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。

高溫反應(yīng)受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

CVD 技術(shù)中通過沉積反應(yīng)易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

渦流擴(kuò)散是在有濃度差異條件下，物質(zhì)通過渦流流體的傳遞過程。

界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考⒊练e反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強(qiáng)控制部件等部分組成。

CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動(dòng)。

強(qiáng)制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導(dǎo)致的。

簡述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中，由于流體充分湍動(dòng)，吸收質(zhì)濃度是不均勻的。