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吸附平衡關(guān)系由吸附過(guò)程的方向和極限決定的,是吸附過(guò)程的基本依據(jù)。
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判斷題
CVD 裝置通常可以由氣源控制部件、沉積反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強(qiáng)控制部件等部分組成。
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判斷題
反應(yīng)氣體或生成物通過(guò)邊界層,是以擴(kuò)散的方式來(lái)進(jìn)行的,而使氣體分子進(jìn)行擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力,則是來(lái)自于氣體分子局部的濃度梯度。
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