單項選擇題ZrO2晶體結(jié)構(gòu)中,O2-作簡單立方堆積,Zr4+填充()。
A.全部立方體空隙
B.1/2立方體空隙
C.1/4立方體空隙
D.1/8立方體空隙
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1.單項選擇題纖鋅礦(六方ZnS)晶體結(jié)構(gòu)中,S2-作六方最緊密堆積,Zn2+填充()。
A.全部四面體空隙
B.全部八面體空隙
C.1/2四面體空隙
D.1/2八面體空隙
2.單項選擇題葉臘石Al2[Si4O10](OH)2和滑石Mg3[Si4O10](OH)2都屬于2:1層狀(復(fù)網(wǎng)層)結(jié)構(gòu)類型,它們的區(qū)別在于()。
A.兩者互為多型結(jié)構(gòu)
B.兩者是同質(zhì)多晶體
C.結(jié)構(gòu)中的八面體空隙被不同的正離子(Al3+及Mg2+)所占據(jù)
D.結(jié)構(gòu)中的四面體空隙被不同的正離子(Al3+及Mg2+)所占據(jù)
3.單項選擇題MgAl2O4尖晶石晶體中,O2-面心立方最緊密堆積,Al3+填充()。
A.1/8四面體空隙?
B.1/2四面體空隙
C.1/8八面體空隙
D.1/2八面體空隙
4.單項選擇題在一個面心立方晶胞中,共存在()空隙。
A.4個四面體,4個八面體
B.8個四面體,8個八面體
C.8個四面體,4個八面體
D.4個四面體,8個八面體?
5.單項選擇題在一個面心立方晶胞中,晶胞質(zhì)點數(shù)為()。
A.2
B.4
C.6
D.8
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蒙脫石荷電的主要原因是()。
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