解釋正性光刻和負性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？

描述電子回旋共振（ECR）。

例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。

敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。

例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴散的三個步驟。

光刻中采用步進掃描技術獲得了什么好處？

解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？

哪種化學氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。

給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？

解釋掃描投影光刻機是怎樣工作的？掃描投影光刻機努力解決什么問題？