A.接收電路
B.發(fā)射電路
C.放大電路
D.同步電路
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A.波形測(cè)量
B.波形顯示
C.出波幅度
D.出波大小
A.≥10mm
B.≥20mm
C.≥30mm
D.≥40mm
A.加強(qiáng)軌頭外側(cè)、中部核傷的檢測(cè)
B.加強(qiáng)軌頭中部和內(nèi)側(cè)核傷的檢測(cè)
C.加強(qiáng)軌頭傾斜性核傷的檢測(cè)
D.加強(qiáng)多方向檢測(cè)軌頭核傷
A.壓饋
B.掉塊
C.裂紋端部
D.銹蝕
A.裂紋
B.核傷
C.掉塊
D.魚鱗傷損
最新試題
分辯率可使用通用探傷儀進(jìn)行測(cè)量,測(cè)試時(shí)儀器抑制置“零”或“開”位,必要時(shí)可加匹配線圈。
在檢測(cè)晶粒粗大和大型工件時(shí),應(yīng)測(cè)定材料的衰減系數(shù),計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。
對(duì)于圓柱體而言,外圓徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí),入射點(diǎn)處的回波聲壓實(shí)際上由于圓柱面耦合不及平面,因而其回波高于平底面,會(huì)使定量誤差增加。
儀器時(shí)基線調(diào)節(jié)比例時(shí),若回波前沿沒有對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)垂直刻度或讀數(shù)不準(zhǔn),會(huì)使缺陷定位誤差增加。
缺陷相對(duì)反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。
液浸法探傷是使探頭發(fā)射的超聲波經(jīng)過一段液體后再進(jìn)入試件的檢測(cè)的方法。
動(dòng)態(tài)范圍的最小信號(hào)可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。
為了減少側(cè)壁的影響,必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量,以便提高定量精度。
高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊,使之形成高溫耦合層。
爬波在自由表面的位移有垂直分量,但不是純粹的表面波。