你可能感興趣的試題

問答題
【計算題】
已知一維晶體的電子能帶可寫成：

式中a是晶格常數(shù)。
求電子在波矢k的狀態(tài)時的速度。
答案：
問答題
【計算題】
已知一維晶體的電子能帶可寫成：

式中a是晶格常數(shù)。
求能帶的寬度。
答案：
問答題
【計算題】
已知電子在周期場中的勢能為

用近自由電子模型求出此晶體的第1及第2個禁帶寬度。
答案：
問答題
【計算題】
已知電子在周期場中的勢能為

畫出勢能曲線，并求出其平均值。
答案：
問答題
【計算題】
一維周期場中電子的波函數(shù)ψ_k（x）應(yīng)當(dāng)滿足布洛赫定理。若晶格常數(shù)為，電子的波函數(shù)為

答案：
問答題
【簡答題】說明德·哈斯－范·阿爾芬效應(yīng)的基本原理及主要應(yīng)用。
答案：在低溫下強(qiáng)磁場中，晶體的磁化率、電導(dǎo)率、比熱容等物理量隨磁場變化而呈現(xiàn)出振蕩的現(xiàn)象，稱為德·哈斯－范&mi...
問答題
【簡答題】禁帶形成的原因如何？能否用一物理圖像來描述？
答案：
問答題
【計算題】
利用電子漂移速度v的方程

答案：
問答題
【計算題】室溫下利用光電效應(yīng)已測得銀及銫的光電效應(yīng)閥值分別為4.8eV和1.8eV。若把銀與銫兩種金屬接觸在一起，求出室溫下它們的接觸電勢差。
答案：
問答題
【計算題】室溫下利用光電效應(yīng)已測得銀及銫的光電效應(yīng)閥值分別為4.8eV和1.8eV。若溫度上升至800K時，其熱電子發(fā)射電流密度為多少？
答案：

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【計算題】
已知一維晶體的電子能帶可寫成：

式中a是晶格常數(shù)。
求能帶底部和頂部電子的有效質(zhì)量。

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【計算題】
已知一維晶體的電子能帶可寫成：

式中a是晶格常數(shù)。
求電子在波矢k的狀態(tài)時的速度。

【計算題】
已知一維晶體的電子能帶可寫成：

式中a是晶格常數(shù)。
求能帶的寬度。

【計算題】
已知電子在周期場中的勢能為

用近自由電子模型求出此晶體的第1及第2個禁帶寬度。

【計算題】
已知電子在周期場中的勢能為

畫出勢能曲線，并求出其平均值。

【計算題】
一維周期場中電子的波函數(shù)ψ_k（x）應(yīng)當(dāng)滿足布洛赫定理。若晶格常數(shù)為，電子的波函數(shù)為

【簡答題】說明德·哈斯－范·阿爾芬效應(yīng)的基本原理及主要應(yīng)用。

【簡答題】禁帶形成的原因如何？能否用一物理圖像來描述？

【計算題】
利用電子漂移速度v的方程

【計算題】室溫下利用光電效應(yīng)已測得銀及銫的光電效應(yīng)閥值分別為4.8eV和1.8eV。若把銀與銫兩種金屬接觸在一起，求出室溫下它們的接觸電勢差。

【計算題】室溫下利用光電效應(yīng)已測得銀及銫的光電效應(yīng)閥值分別為4.8eV和1.8eV。若溫度上升至800K時，其熱電子發(fā)射電流密度為多少？

【計算題】 已知一維晶體的電子能帶可寫成： 式中a是晶格常數(shù)。 求能帶底部和頂部電子的有效質(zhì)量。

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【計算題】 已知一維晶體的電子能帶可寫成： 式中a是晶格常數(shù)。 求電子在波矢k的狀態(tài)時的速度。

【計算題】 已知一維晶體的電子能帶可寫成： 式中a是晶格常數(shù)。 求能帶的寬度。

【計算題】 已知電子在周期場中的勢能為 用近自由電子模型求出此晶體的第1及第2個禁帶寬度。

【計算題】 已知電子在周期場中的勢能為 畫出勢能曲線，并求出其平均值。

【計算題】 一維周期場中電子的波函數(shù)ψk（x）應(yīng)當(dāng)滿足布洛赫定理。若晶格常數(shù)為，電子的波函數(shù)為

【簡答題】說明德·哈斯－范·阿爾芬效應(yīng)的基本原理及主要應(yīng)用。

【簡答題】禁帶形成的原因如何？能否用一物理圖像來描述？

【計算題】 利用電子漂移速度v的方程

【計算題】室溫下利用光電效應(yīng)已測得銀及銫的光電效應(yīng)閥值分別為4.8eV和1.8eV。若把銀與銫兩種金屬接觸在一起，求出室溫下它們的接觸電勢差。

【計算題】室溫下利用光電效應(yīng)已測得銀及銫的光電效應(yīng)閥值分別為4.8eV和1.8eV。若溫度上升至800K時，其熱電子發(fā)射電流密度為多少？

【計算題】
已知一維晶體的電子能帶可寫成：

式中a是晶格常數(shù)。
求能帶底部和頂部電子的有效質(zhì)量。

【計算題】
已知一維晶體的電子能帶可寫成：

式中a是晶格常數(shù)。
求電子在波矢k的狀態(tài)時的速度。

【計算題】
已知一維晶體的電子能帶可寫成：

式中a是晶格常數(shù)。
求能帶的寬度。

【計算題】
已知電子在周期場中的勢能為

用近自由電子模型求出此晶體的第1及第2個禁帶寬度。

【計算題】
已知電子在周期場中的勢能為

畫出勢能曲線，并求出其平均值。

【計算題】
一維周期場中電子的波函數(shù)ψ_k（x）應(yīng)當(dāng)滿足布洛赫定理。若晶格常數(shù)為，電子的波函數(shù)為

【簡答題】說明德·哈斯－范·阿爾芬效應(yīng)的基本原理及主要應(yīng)用。

【簡答題】禁帶形成的原因如何？能否用一物理圖像來描述？

【計算題】
利用電子漂移速度v的方程

【計算題】室溫下利用光電效應(yīng)已測得銀及銫的光電效應(yīng)閥值分別為4.8eV和1.8eV。若把銀與銫兩種金屬接觸在一起，求出室溫下它們的接觸電勢差。

【計算題】室溫下利用光電效應(yīng)已測得銀及銫的光電效應(yīng)閥值分別為4.8eV和1.8eV。若溫度上升至800K時，其熱電子發(fā)射電流密度為多少？