問(wèn)答題摻雜的目的是什么？舉出兩種摻雜方法并比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

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最新試題

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

題型：多項(xiàng)選擇題

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

題型：多項(xiàng)選擇題

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

題型：?jiǎn)柎痤}

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

題型：?jiǎn)柎痤}

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

題型：多項(xiàng)選擇題

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

題型：多項(xiàng)選擇題

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

題型：多項(xiàng)選擇題

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

題型：?jiǎn)柎痤}

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

題型：?jiǎn)柎痤}

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

題型：?jiǎn)柎痤}