進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

常壓的硅外延方法有（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）