單項(xiàng)選擇題氣體擊穿電壓隨氣壓和極距的乘積而變,當(dāng)乘積為()值時(shí),氣體擊穿電壓有一個(gè)最小值。
A.最大
B.最小
C.一定
D.趨零
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1.單項(xiàng)選擇題在巴申曲線擊穿電壓最低值右側(cè),因碰撞電離概率起主導(dǎo)作用,而碰撞次數(shù)起次要作用,隨著氣壓與極距乘積值加大,擊穿電壓()。
A.不變
B.降低
C.突變
D.提高
2.單項(xiàng)選擇題湯森德理論闡述了()氣體的放電過程。
A.短間隙
B.大間隙
C.固體中
D.長間隙
3.單項(xiàng)選擇題起始電子在電場作用下發(fā)生碰撞電離,使()迅速增加的現(xiàn)象稱為電子崩。
A.復(fù)合離子
B.帶電質(zhì)子
C.游離分子
D.運(yùn)動(dòng)電子
4.單項(xiàng)選擇題一般所說的電子崩,往往是指電子崩區(qū)域,電子崩頭的電荷密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于崩的中部和崩的尾部,且()集中在崩頭。
A.正電荷
B.分子流
C.負(fù)電荷
D.離子流
5.單項(xiàng)選擇題試驗(yàn)表明,擊穿通道是局限在狹窄的()形通道中,且有分支,說明放電過程與局部條件有關(guān),有偶然因素。
A.管狀
B.曲折
C.圓柱
D.圓錐
最新試題
當(dāng)單相半波晶閘管整流電路控制角為零時(shí),晶閘管全導(dǎo)通,輸出直流電壓()。
題型:單項(xiàng)選擇題
如果頻率下降,發(fā)電廠重要用電設(shè)備()降低導(dǎo)致發(fā)電機(jī)出力下降,使電力系統(tǒng)頻率進(jìn)一步下降。
題型:單項(xiàng)選擇題
晶閘管在正向陽極電壓作用下,不導(dǎo)通的范圍稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
串聯(lián)式直流穩(wěn)壓電源的輸出電壓的范圍不受()本身耐壓限制。
題型:單項(xiàng)選擇題
調(diào)整系統(tǒng)的頻率是在()進(jìn)行的。
題型:單項(xiàng)選擇題
當(dāng)電力系統(tǒng)的電壓降低時(shí),各類負(fù)荷中占比重較大的異步電動(dòng)機(jī)的影響隨()的增大而增大。
題型:單項(xiàng)選擇題
集成穩(wěn)壓器對于最小壓差必須在輸入為()時(shí)也能滿足要求。
題型:單項(xiàng)選擇題
當(dāng)負(fù)荷變動(dòng)周期較大、()較大時(shí),僅靠“一次調(diào)整”不一定能保證頻率偏移在允許波動(dòng)的范圍之內(nèi)。
題型:單項(xiàng)選擇題
頻率下降時(shí),將引起汽輪機(jī)葉片(),縮短葉片的壽命,嚴(yán)重時(shí)會(huì)發(fā)生葉片斷裂事故。
題型:單項(xiàng)選擇題
集成穩(wěn)壓器結(jié)構(gòu)簡單,使用()。
題型:單項(xiàng)選擇題