摻雜后，退火的目的是（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）