常壓的硅外延方法有（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

消除鳥嘴效應的方法有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。