進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。