97无码人妻,无码高潮少妇毛多水多水

填空題淺結(jié)制備的常用方法是：（）、（）加（）。而（）型淺結(jié)比（）型淺結(jié)更難制備。P型淺結(jié)常用（）、（）、（）來獲得。

1.填空題為了降低注入離子對襯底由于熱沉積產(chǎn)生的溫升，在高劑量、大束流離子注入時，可以采用（）掃描方式，在低劑量、小束流時一般用（）方式注入。

2.填空題離子注入機的對Si襯底作P型摻雜的源氣常用（），N型摻雜的源氣常用（）和（）。對GaAs做N型摻雜的源氣常用（）

3.填空題（）稱為溝道效應(yīng)，可以用（）、（）和（）來避免。其中，（）是最常用的方法。

4.填空題 注入離子的射程主要由（）決定。確定注入離子分布的主要參數(shù)是（）及其（）。注入離子分布的一級近似為（）?？蓪懗桑?img src="https://newimg.ppkao.com/2019-07/wangjing/2019070410290232389.jpg" />

5.填空題CMOS集成電路的柵氧化層要求：（）。通常用（）氧化降低其界面態(tài)密度，用（）氧化降低其針孔密度和提高介電擊穿強度。