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填空題CMOS工藝中，阱注入的計(jì)量為（）量級(jí)；源、漏注入的劑量為（）量級(jí)；開(kāi)啟調(diào)整的注入劑量為（）量級(jí) ；場(chǎng)注入的的劑量為（）量級(jí)；離子束合成SOI材料SIMOX的O⁺注入計(jì)量為（）量級(jí)。

1.填空題淺結(jié)制備的常用方法是：（）、（）加（）。而（）型淺結(jié)比（）型淺結(jié)更難制備。P型淺結(jié)常用（）、（）、（）來(lái)獲得。

2.填空題為了降低注入離子對(duì)襯底由于熱沉積產(chǎn)生的溫升，在高劑量、大束流離子注入時(shí)，可以采用（）掃描方式，在低劑量、小束流時(shí)一般用（）方式注入。

3.填空題離子注入機(jī)的對(duì)Si襯底作P型摻雜的源氣常用（），N型摻雜的源氣常用（）和（）。對(duì)GaAs做N型摻雜的源氣常用（）

4.填空題（）稱(chēng)為溝道效應(yīng)，可以用（）、（）和（）來(lái)避免。其中，（）是最常用的方法。

5.填空題 注入離子的射程主要由（）決定。確定注入離子分布的主要參數(shù)是（）及其（）。注入離子分布的一級(jí)近似為（）?？蓪?xiě)成：