MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。