A.p區(qū)向n區(qū)擴(kuò)散空穴B.n區(qū)向p區(qū)擴(kuò)散電子C.p區(qū)進(jìn)入n區(qū)的空穴多于n區(qū)進(jìn)入p區(qū)的空穴D.n區(qū)進(jìn)入p區(qū)的電子多于p區(qū)進(jìn)入n區(qū)的電子
A.p區(qū)向n區(qū)擴(kuò)散空穴B.n區(qū)向p區(qū)擴(kuò)散電子C.p區(qū)向n區(qū)漂移電子D.n區(qū)向p區(qū)漂移空穴E.p區(qū)不斷地向n區(qū)擴(kuò)散原子
A.p區(qū)邊界電子濃度為零B.n區(qū)邊界空穴濃度為零C.p區(qū)邊界少子濃度為零D.n區(qū)邊界少子濃度為零E.空間電荷區(qū)本征載流子濃度為零F.空間電荷區(qū)載流子濃度為零