A. 硼砂
B. 高嶺土
C. 鉀長(zhǎng)石
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A.氧化鋁
B.氧化鉛
C.氧化鈣
A. 釉層過厚
B. 燒成溫度過低
C. 原料中含有雜質(zhì)
D. 坯、釉膨脹系數(shù)搭配不合理
A.低溫素?zé)?、高溫釉?br />
B.高溫素?zé)⒌蜏赜詿?br />
C.一次燒成
D.三次燒成
A.燒成時(shí)止火溫度高于產(chǎn)品的燒成溫度
B.在過于干燥的生坯上施釉
C.坯釉膨脹系數(shù)搭配不合理
D.釉層厚度不均
A.鏈狀
B.層狀
C.架狀
最新試題
MoSi2宜在低于1000℃下長(zhǎng)時(shí)間使用。
簡(jiǎn)述特殊活性原料的獲得方法及效果。
在電離真空計(jì)中，電子在飛行路途中產(chǎn)生的正離子數(shù)，正比于氣體密度n，在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此，可根據(jù)離子電流的大小指示真空度。
簡(jiǎn)述雜質(zhì)對(duì)擴(kuò)散的影響。
共價(jià)晶體不需考慮長(zhǎng)程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。
化學(xué)合成反應(yīng)沉積是由兩種或兩種以上的反應(yīng)原料氣在沉積反應(yīng)器中相互作用合成得到所需要的無機(jī)薄膜或其它材料形式的方法。
表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結(jié)構(gòu)變化，這種情況稱為馳豫。
雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中，由于流體充分湍動(dòng)，吸收質(zhì)濃度是不均勻的。
CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考?、沉積反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強(qiáng)控制部件等部分組成。
活性炭對(duì)物質(zhì)的吸附是對(duì)極性基團(tuán)少的化合物的吸附力大于極性基團(tuán)多的化合物。