金屬化中可選用的金屬材料有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。