封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線(xiàn)焊接之后有無(wú)各種廢品。

摻雜后，退火的目的是（）。

刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。