A.0.02
B.1.98
C.0.495
D.2.54
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A.VEB順偏，VCB順偏
B.VEB順偏，VCB逆偏
C.VEB逆偏，VCB逆偏
D.VEB逆偏，VCB順偏
A.基射接面需順偏，基集接面需順偏
B.基射接面需順偏，基集接面需反偏
C.基射接面需反偏，基集接面需順偏
D.基射接面需反偏，基集接面需反偏
A.共基極放大電路
B.共射極放大電路
C.共集極放大電路
D.以上皆是
如圖所示N信道增強(qiáng)型MOSFET偏壓電路，其閘極至源極的電壓VGS=？（）
A.9.6V
B.14.4V
C.0V
D.12V
E.8V
A.BJT為電流控制組件
B.NPN型BJT正常工作時(shí)，流通之多數(shù)載子為電子
C.BJT用于線性放大時(shí)，基射極需接反偏，基集極接順偏
D.不可以二個(gè)頭或尾對(duì)接之二極管來代替BJT組件使用
最新試題
低頻功率放大器的基本要求通常不包括以下哪一項(xiàng)？（）
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