單項(xiàng)選擇題NPN晶體管若欲工作在作用區(qū)（active-region），則（）

A.基射接面需順偏，基集接面需順偏
B.基射接面需順偏，基集接面需反偏
C.基射接面需反偏，基集接面需順偏
D.基射接面需反偏，基集接面需反偏


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3.單項(xiàng)選擇題有關(guān)雙極性接面晶體管（BJT）特性之?dāng)⑹觯铝泻握哂姓`？（）

A.BJT為電流控制組件
B.NPN型BJT正常工作時(shí)，流通之多數(shù)載子為電子
C.BJT用于線性放大時(shí)，基射極需接反偏，基集極接順偏
D.不可以二個(gè)頭或尾對(duì)接之二極管來(lái)代替BJT組件使用

4.單項(xiàng)選擇題某晶體管之β值為99，則其α值應(yīng)為？（）

A.0.98
B.0.985
C.0.99
D.0.995

5.單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)MOSFET之?dāng)⑹?，何者有誤？（）

A.MOSFET之閘極與源極間的直流電阻接近無(wú)窮大
B.增強(qiáng)型之P型MOSFET與空乏型之N型MOSFET特性完全相同
C.MOSFET之閘極與通道（channel）間一般是隔著二氧化硅（SiO2）
D.與增強(qiáng)型比較，空乏型在制造上多了離子布植（ionimplantation）的手續(xù)