A.0.98
B.0.985
C.0.99
D.0.995
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A.MOSFET之閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
B.增強(qiáng)型之P型MOSFET與空乏型之N型MOSFET特性完全相同
C.MOSFET之閘極與通道（channel）間一般是隔著二氧化硅（SiO2）
D.與增強(qiáng)型比較，空乏型在制造上多了離子布植（ionimplantation）的手續(xù)
A.通道中載子的濃度
B.通道之導(dǎo)電系數(shù)
C.流過接面的電流
D.接面空乏區(qū)的厚度
A.閘極的反向偏壓漏電流
B.表面效應(yīng)
C.溫度效應(yīng)
D.閘極使用順向偏壓
右圖中，若Vin=10V、VBE=0.7V、VCE（SAT）=0.2V，β=50，則此晶體管工作于？（）
A.作用區(qū)（順向主動(dòng)區(qū)）
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.反轉(zhuǎn)區(qū)（逆向主動(dòng)區(qū)）
A.1mA
B.2mA
C.3mA
D.4mA
最新試題
74LS163的預(yù)置功能是如何實(shí)現(xiàn)的？（）
數(shù)字電路在通信系統(tǒng)中的主要應(yīng)用不包括以下哪一項(xiàng)？（）
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