A.MOSFET之閘極與源極間的直流電阻接近無(wú)窮大
B.增強(qiáng)型之P型MOSFET與空乏型之N型MOSFET特性完全相同
C.MOSFET之閘極與通道（channel）間一般是隔著二氧化硅（SiO2）
D.與增強(qiáng)型比較，空乏型在制造上多了離子布植（ionimplantation）的手續(xù)
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A.通道中載子的濃度
B.通道之導(dǎo)電系數(shù)
C.流過(guò)接面的電流
D.接面空乏區(qū)的厚度
A.閘極的反向偏壓漏電流
B.表面效應(yīng)
C.溫度效應(yīng)
D.閘極使用順向偏壓
右圖中，若Vin=10V、VBE=0.7V、VCE（SAT）=0.2V，β=50，則此晶體管工作于？（）
A.作用區(qū)（順向主動(dòng)區(qū)）
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.反轉(zhuǎn)區(qū)（逆向主動(dòng)區(qū)）
A.1mA
B.2mA
C.3mA
D.4mA
A.有PN接面有逆向電流
B.無(wú)PN接面有逆向電流
C.無(wú)PN接面無(wú)逆向電流
D.有PN接面無(wú)逆向電流
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下列哪個(gè)描述是RS觸發(fā)器的一個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景？（）
正弦波振蕩器主要將哪種電源轉(zhuǎn)換為特定頻率和振幅的正弦交變電壓（電流）？（）
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