當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。