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判斷題

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

答案：錯誤

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MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關。

答案：錯誤

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

答案：正確

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