判斷題實際擴散工藝通過調(diào)整爐溫比調(diào)整擴散時間對結深的影響更大。
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1.判斷題中子嬗變摻雜不能用于制備p型硅錠。
3.多項選擇題蒸鍍工藝要求蒸鍍室為高真空度的原因（）
A.為了避免蒸發(fā)分子（或原子）被氧化
B.為了降低鍍膜中的雜質(zhì)
C.為了減小蒸發(fā)分子（或原子）的平均自由程
D.為了制備的鍍膜表面更平坦
4.單項選擇題PVD與CVD比較，下列哪種說法正確（）
A.CVD普適性更好
B.PVD薄膜的保形性更好
C.CVD工藝溫度更低
D.PVD薄膜與襯底的粘附性較差
5.單項選擇題下列晶體缺陷中對其擴散速率影響最大的是（）
A.空位
B.填隙雜質(zhì)
C.自填隙
D.替位雜質(zhì)
最新試題
厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。
題型：單項選擇題
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。
題型：多項選擇題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題