A.坪斜修正可以降低工作電壓偏高對(duì)結(jié)果的影響
B.高Z材料會(huì)加強(qiáng)反散射效果,所以要用低Z材料做源托
C.β射線在介質(zhì)中的被吸收規(guī)律近似服從指數(shù)規(guī)律
D.β射線穿透力強(qiáng)于α粒子,故而不需要考慮源的自吸收問題
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A.不能用小立體角法測(cè)量
B.需要考慮軔致輻射效應(yīng)
C.需要考慮電子散射問題
D.不需要真空的測(cè)量環(huán)境
A.不需要考慮源的自吸收
B.厚樣品在實(shí)際中很少見
C.樣品厚度達(dá)到一定值后,再增大其厚度,測(cè)量的活度基本不變
D.樣品不同位置薄層中的α粒子出射的概率是一樣的
A.探測(cè)腔室一般要抽真空
B.為提高探測(cè)效率,α源要盡可能貼近探測(cè)器
C.源發(fā)射α粒子是各向同性的
D.一般可以作為點(diǎn)源處理
A.由于吸收作用,探測(cè)器的窗對(duì)活度測(cè)量會(huì)有影響
B.α源與探測(cè)器間的空氣也會(huì)影響測(cè)量的活度結(jié)果
C.對(duì)于β射線的測(cè)量,散射情況一般需要考慮
D.由于反散射的影響,需要用高Z材料做β源托,降低反散射
A.點(diǎn)源情況下的源的形狀
B.探測(cè)器的種類
C.探測(cè)器的大小尺寸
D.入射粒子的種類
最新試題
下列對(duì)于常用的中子探測(cè)器的描述不正確的是()。
關(guān)于符合的描述,下列說法正確的是()。
對(duì)于β射線活度測(cè)量的諸多修正的描述錯(cuò)誤的是()。
下列對(duì)中子慢化的描述正確的是()。
測(cè)量能量10keV的γ射線,觀察到了在20keV處有一個(gè)明顯的峰,對(duì)于這些計(jì)數(shù)的分析正確的是()。
關(guān)于中子的彈性、非彈性散射,下列說法錯(cuò)誤的是()。
下列關(guān)于符合曲線描述錯(cuò)誤的是()。
下列關(guān)于同位素源的特點(diǎn)的描述不正確的是()。
對(duì)偶然符合描述正確的是()。
同位素中子源不包括哪一種?()