多項選擇題集成電路的電學(xué)測試包括功能測試和參數(shù)測試，以下屬于電學(xué)測試的為（）。
A.電流
B.電場強度
C.電壓
D.阻抗
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1.單項選擇題以下電子產(chǎn)品的測試方法，屬于破壞性測試的為（）。
A.選擇性剝層
B.透射電鏡掃描
C.X射線檢測
D.紅外光譜分析
2.單項選擇題要觀察半導(dǎo)體器件上的針眼和小孔、鈍化層裂縫等缺陷，應(yīng)使用（）。
A.掃描電子顯微鏡
B.光學(xué)顯微鏡
C.透射電子顯微鏡
D.原子力顯微鏡
3.多項選擇題芯片發(fā)生失效的機理包括（）。
A.疲勞
B.磨損
C.過壓力
D.過應(yīng)力
4.單項選擇題引起芯片翹曲的原因，是由于施加到元器件上的力（）。
A.過小
B.消失
C.不平衡
D.過大
5.單項選擇題下列封裝形式，最容易發(fā)生底座偏移的為（）。
A.薄型小尺寸封裝
B.球柵陣列封裝
C.單列直插式封裝
D.雙列直插式封裝
最新試題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項選擇題
光刻工藝的特點包括（）。
題型：多項選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：單項選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
題型：單項選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項選擇題