下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。