常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

光刻工藝的特點包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。