A.低溫素?zé)?、高溫釉?br />
B.高溫素?zé)?、低溫釉?br />
C.一次燒成
D.三次燒成
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A.燒成時止火溫度高于產(chǎn)品的燒成溫度
B.在過于干燥的生坯上施釉
C.坯釉膨脹系數(shù)搭配不合理
D.釉層厚度不均
A.鏈狀
B.層狀
C.架狀
A.二次燒成
B.重?zé)?br />
C.一次燒成
D.三次燒成
A.K2O
B.Na2O
C.Li2O
A.二次燒成
B.重?zé)?br />
C.一次燒成
D.三次燒成
最新試題
吸附平衡關(guān)系由吸附過程的方向和極限決定的,是吸附過程的基本依據(jù)。
高壓合成,就是利用外加的高壓力,使物質(zhì)產(chǎn)生多型相變或發(fā)生不同物質(zhì)間的化合,而得到新相、新化合物或新材料。
簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。
空氣中鉑的使用溫度為1500℃,能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。
化學(xué)氣相沉積乃是通過化學(xué)反應(yīng)的方式,利用加熱、等離子激勵或光輻射等各種能源,在反應(yīng)器內(nèi)使氣態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。
CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動。
反應(yīng)氣體或生成物通過邊界層,是以擴(kuò)散的方式來進(jìn)行的,而使氣體分子進(jìn)行擴(kuò)散的驅(qū)動力,則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。
利用熱電偶的電勢與加熱元件的溫度有關(guān),元件的溫度又與氣體的熱傳導(dǎo)有關(guān),熱傳導(dǎo)量又與壓力成反比的原理來測量真空度的真空計(jì)。
界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。
簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。