常壓的硅外延方法有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。