光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。