問答題常見的終點檢測設(shè)備有那些？
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4.問答題紫外光的常見曝光方法有那些？
5.問答題簡述光刻膠的成分特征。
最新試題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項選擇題
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項選擇題
厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。
題型：單項選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項選擇題