IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。