進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。