單項(xiàng)選擇題?第一個(gè)鍺晶體管是（）年發(fā)明?。
A.1946
B.1947
C.1957
D.1958
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1.多項(xiàng)選擇題硅的四種摻雜方式有以下幾種？（）
A.離子注入
B.擴(kuò)散摻雜法
C.中子嬗變摻雜
D.原位摻雜
2.單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)雜質(zhì)允許在硅中存在的？（）
A.Cu
B.C
C.Na
D.O
3.多項(xiàng)選擇題微電子產(chǎn)業(yè)的特點(diǎn)有（）。
A.對(duì)材料及產(chǎn)品可靠性要求高
B.制造環(huán)境要求高
C.商品壽命短
D.技術(shù)含量高，人才需要大
4.多項(xiàng)選擇題發(fā)明集成電路的公司有（）。
A.英偉達(dá)
B.仙童半導(dǎo)體
C.英特爾
D.德州儀器
5.單項(xiàng)選擇題麒麟980芯片采用的工藝水平是（）。
A.10nm
B.5nm
C.7nm
D.9nm
最新試題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題