單項選擇題決定硅酸鹽玻璃熔制速度的化合物是()。
A. 氧化鋁
B. 二氧化硅
C. 氧化鈉
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1.單項選擇題引入氧化鋇的原料中不包括()。
A. 硫酸鋇
B. 碳酸鋇
C. 氯化鋇
2.單項選擇題引入B2O3的原料有()。
A. 硼砂
B. 高嶺土
C. 鉀長石
3.單項選擇題下列氧化物中,屬于中間體的是()。
A.氧化鋁
B.氧化鉛
C.氧化鈣
4.單項選擇題陶瓷產(chǎn)品表面產(chǎn)生斑點的主要原因之一為()。
A. 釉層過厚
B. 燒成溫度過低
C. 原料中含有雜質(zhì)
D. 坯、釉膨脹系數(shù)搭配不合理
5.單項選擇題先將生坯在較低的溫度下燒成素坯,然后釉燒,再在較高的溫度下進行釉燒稱為()。
A.低溫素燒、高溫釉燒
B.高溫素燒、低溫釉燒
C.一次燒成
D.三次燒成
最新試題
CVD 技術(shù)中通過沉積反應易于生成所需要的材料沉積物,而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。
題型:判斷題
人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設備稱為真空獲得設備或真空泵。
題型:判斷題
強制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導致的。
題型:判斷題
MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。
題型:判斷題
活性炭對物質(zhì)的吸附是對極性基團少的化合物的吸附力大于極性基團多的化合物。
題型:判斷題
CVD 工藝希望反應氣體以湍流的形式流動。
題型:判斷題
高壓合成,就是利用外加的高壓力,使物質(zhì)產(chǎn)生多型相變或發(fā)生不同物質(zhì)間的化合,而得到新相、新化合物或新材料。
題型:判斷題
高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。
題型:判斷題
簡述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。
題型:問答題
CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進行的,不僅用來增密炭基材料,還可增強材料斷裂強度和抗震性能。
題型:判斷題