CMP的設備構(gòu)成包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

光刻工藝的特點包括（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。