1.反應產物是揮發(fā)性的; 2.選擇比率高; 3.刻蝕速率快; 4.具有好的終點靈敏性; 5.有好的各向異性刻蝕速率。
最新試題
影響封裝芯片特性的溫度有()。
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
芯片粘接的工藝過程包括()。
光刻工藝的特點包括()。
消除鳥嘴效應的方法有()。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是()。
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現圖形的轉移?()
注入損傷與注入離子的以下哪個參數無關?()
新的平坦化方法有哪幾個?()
光刻工藝的設備核心是()。