問答題

在一本征硅中,摻入施主雜質(zhì),其濃度ND=2×1014cm-3。 
(1)求室溫300K時(shí)自由電子和空穴的熱平衡濃度值,并說明半導(dǎo)體為P型或N型。 
(2 )若再摻入受主雜質(zhì),其濃度NA=3×1014cm-3,重復(fù)(1)。 
(3)若ND=NA=1015cm-3,重復(fù)(1)。 
(4)若ND=1016cm-3,NA=1014cm-3,重復(fù)(1)。


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2.多項(xiàng)選擇題?10進(jìn)制計(jì)數(shù)器模塊在數(shù)字鐘系統(tǒng)中可作為以下哪些模塊的子模塊?()

A.60秒計(jì)數(shù)器
B.定時(shí)模塊
C.校時(shí)、計(jì)時(shí)模塊
D.60分計(jì)數(shù)器

7.單項(xiàng)選擇題

?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示,當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象?()

A.A =1,B =0,D =0
B.A =0,B =1,D =1
C.A =1,B =1,D =0
D.A =0,B =1,C =1

最新試題

?已知Nexys4開發(fā)板外部時(shí)鐘信號(hào)頻率為100MHz,數(shù)字鐘用來產(chǎn)生秒信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)頻率為1Hz,若采用計(jì)數(shù)器對(duì)100MHz的外部時(shí)鐘分頻得到1Hz的秒信號(hào),請(qǐng)問該計(jì)數(shù)器至少需要多少位?()

題型:單項(xiàng)選擇題

在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合,則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時(shí),柵極直流電壓將會(huì)(),漏極直流電流將會(huì)(),輸入電阻將會(huì)()。

題型:單項(xiàng)選擇題

已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。

題型:多項(xiàng)選擇題

I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過電容耦合進(jìn)行傳輸(注意圖中未畫出電容),要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路,則RD=()kΩ。?

題型:單項(xiàng)選擇題

當(dāng)VGS=0時(shí),能夠?qū)ǖ腗OS管為()

題型:多項(xiàng)選擇題

?CG放大器的性能描述合理的是()。

題型:單項(xiàng)選擇題

?CD放大器的性能特征有()。?

題型:多項(xiàng)選擇題

在對(duì)數(shù)字鐘計(jì)時(shí)、校時(shí)模塊進(jìn)行仿真時(shí),設(shè)秒信號(hào)的周期為10ns,若要觀察24時(shí)制計(jì)數(shù)是否正確,那么在復(fù)位信號(hào)無效,計(jì)時(shí)使能信號(hào)有效的情況下,仿真需運(yùn)行多長時(shí)間?()

題型:單項(xiàng)選擇題

現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個(gè)加數(shù),ci為來自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義:下面通過層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。

題型:單項(xiàng)選擇題

CG放大器因其輸入電阻過小,因此沒什么用處。

題型:判斷題