溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。

化學(xué)合成反應(yīng)沉積是由兩種或兩種以上的反應(yīng)原料氣在沉積反應(yīng)器中相互作用合成得到所需要的無機(jī)薄膜或其它材料形式的方法。

簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

高溫反應(yīng)受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

CVD 技術(shù)中通過沉積反應(yīng)易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

簡述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

吸附質(zhì)從流體主體通過分子與對流擴(kuò)散穿過薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱之為外擴(kuò)散過程。

簡述雜質(zhì)對擴(kuò)散的影響。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。