單項選擇題刻蝕是用化學方法或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的工藝過程，其基本目標是（）。
A. 有選擇地形成被刻蝕圖形的側壁形狀
B. 在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形
C. 變成刻蝕介質以形成一個凹槽
D. 在大于3微米的情況下，混合發(fā)生化學作用與物理作用
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1.單項選擇題浸入式光刻技術可以使193nm光刻工藝的最小線寬減小到45nm以下。它通過采用折射率高的液體代替透鏡組件間的空氣，達到（）的目的。
A.增大光源波長；
B.減小光源波長；
C.減小光學系統數值孔徑；
D.增大光學系統數值孔徑。
2.單項選擇題如果淀積的膜在臺階上過度地變薄，就容易導致高的膜應力、電短路或者在器件中產生不希望的（）。
A. 誘生電荷
B. 鳥嘴效應
C. 陷阱電荷
D. 可移動電荷
3.多項選擇題采用二氧化硅薄膜作為柵極氧化層，是利用其具有的（）
A.高電阻率；
B.高化學穩(wěn)定性；
C.低介電常數；
D.高介電強度。
4.單項選擇題微電子器件對加工環(huán)境的空氣潔凈度有著嚴格的要求。我國潔凈室及潔凈區(qū)空氣中懸浮粒子潔凈度標準GB50073-2001中，100級的含義是：每立方米空氣中大于等于0.1m的懸浮粒子的最大允許個數為（）
A.35；
B.100；
C.102；
D.237。