判斷題在LPCVD中，由于hG>>kS，即質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠大于表面反應(yīng)速率常數(shù)，所以，LPCVD系統(tǒng)中，淀積過程主要是表面反應(yīng)速率控制
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1.單項選擇題
下面選項屬于主擴散的作用有（）。
1.調(diào)節(jié)表面濃度
2.控制進入硅表面內(nèi)部的雜質(zhì)總量
3.控制結(jié)深
A.1
B.2
C.3
D.1、3
2.單項選擇題
不論正膠或負膠，光刻過程中都包括如下步驟：
1.刻蝕
2.前烘
3..顯影
4.去膠
5.涂膠
6.曝光
7.堅膜
以下選項排列正確的是：（）。
A.2561437
B.5263471
C.5263741
D.5263714。
3.單項選擇題半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于（）。
A.結(jié)晶形二氧化硅
B.無定形二氧化硅
4.名詞解釋再分布
5.名詞解釋平均投影射程RP
最新試題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項選擇題
摻雜后退火時間一般在（）。
題型：單項選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項選擇題
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：單項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項選擇題