單項選擇題
下面選項屬于主擴散的作用有（）。
1.調(diào)節(jié)表面濃度
2.控制進入硅表面內(nèi)部的雜質(zhì)總量
3.控制結(jié)深
A.1
B.2
C.3
D.1、3
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1.單項選擇題
不論正膠或負膠，光刻過程中都包括如下步驟：
1.刻蝕
2.前烘
3..顯影
4.去膠
5.涂膠
6.曝光
7.堅膜
以下選項排列正確的是：（）。
A.2561437
B.5263471
C.5263741
D.5263714。
2.單項選擇題半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于（）。
A.結(jié)晶形二氧化硅
B.無定形二氧化硅
3.名詞解釋再分布
4.名詞解釋平均投影射程RP
5.名詞解釋非橋鍵氧
最新試題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項選擇題
摻雜后退火時間一般在（）。
題型：單項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項選擇題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題