下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。